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SGL Group baut SiC-Beschichtungskapazitäten am US-Standort in St. Marys weiter aus

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SGL Group baut SiC-Beschichtungskapazitäten am US-Standort in St. Marys weiter aus

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  • Starkes globales Wachstum in der Halbleiter- und LED-Industrie treibt globale Nachfrage nach Suszeptoren und Waferträgern
  • Zweiter Investitionsschritt gestartet, Gesamtvolumen ca. 25 Mio. Euro

Wiesbaden, 7. März 2018. Im Rahmen ihrer Wachstumsstrategie entwickelt die SGL Group ihren Standort in St. Marys (Pennsylvania, USA) konsequent weiter und bildet dessen Führungsposition im Bereich der Siliziumkarbidbeschichtung (SiC-Coating) weiter aus. Starkes Wachstum in der Halbleiter- und LED-Industrie, insbesondere in der Herstellung von Logik-, Sensor-, LED- und Energiemanagement-Chips, treibt die globale Nachfrage nach Suszeptoren und Waferträgern der SGL Group, die in St. Marys mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet werden. Nach dem Start der ersten Erweiterungsphase des Standorts im vergangenen Jahr hat nun die zweite Stufe begonnen, die im vierten Quartal 2018 abgeschlossen werden soll. Insgesamt werden über einen Zeitraum von drei Jahren etwa 25 Mio. Euro in den Ausbau des Standorts und die Erweiterung der Produktionskapazitäten investiert.

Konkret wurde im vergangenen Jahr der Aufbau einer neuen, hochmodernen Beschichtungs-Produktionslinie begonnen, die die Anwendung von Siliziumkarbid (SiC) in dünnen Schichten auf graphitbasierten Materialien ermöglicht. Diese Erweiterung wird Mitte 2018 abgeschlossen. Während sich die erste Stufe noch in der Umsetzung befindet, wurde aufgrund der global weiter deutlich steigenden Nachfrage bereits die zweite Stufe beschlossen, in deren Zuge neben der Beschichtungstechnologie auch die Kapazitäten in anderen Bereichen der Bearbeitungs- und Reinigungstechnologie erweitert werden. Auf diese Weise wird nicht nur das Produktionsvolumen erhöht, sondern zugleich höchster Qualitätsstandard gewährleistet.

Burkhard Straube, Leiter des Geschäftsbereichs Graphite Materials & Systems (GMS) der SGL Group: „Mit der Investition in St. Marys erweitern wir unsere Kapazitäten entlang der gesamten Wertschöpfungskette zur Herstellung von Waferträgern. Mit diesen individuellen Kundenlösungen auf Basis von Spezialgraphit unterstützen wir zielgerichtet unsere Wachstumsstrategie im Marktsegment Digitalisierung. Zugleich bauen wir unsere Kompetenz in dieser höchst anspruchsvollen Technologie weiter aus und stellen auch die Weichen für weitere Expansionsschritte in St. Marys und unserem globalen Produktionsnetzwerk.“

Beschichtungen auf Basis von Siliziumkarbid – von der SGL Group unter dem Namen SIGRAFINE SiC® vermarktet – sind dicht, verschleißbeständig, sowie hochkorrosions- und hitzebeständig und weisen eine sehr gute thermische Leitfähigkeit auf. Daher sind sie ein wichtiger Baustein zur Verlängerung des Lebenszyklus‘ der graphitbasierten Materiallösungen der SGL Group und bieten auf diese Weise den Kunden, Herstellern fortschrittlichster Transistoren und „High-Brightness“-LEDs, einen großen Mehrwert.


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